IXFN180N25T

Маркировка

IXFN180N25T

Описание

MOSFET N-CH 155A 250V SOT-227

Производитель

IXYS

Характеристики IXFN180N25T

  • Серия
    GigaMOS™
  • Производитель
    IXYS
  • FET Type
    MOSFET N-Channel, Metal Oxide
  • FET Feature
    Standard
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.9 mOhm @ 60A, 10V
  • Drain to Source Voltage (Vdss)
    250V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
    164A
  • Vgs(th) (Max) @ Id
    5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs
    345nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds
    28000pF @ 25V
  • Power - Max
    900W
  • Исполнение / Корпус
    SOT-227, miniBLOC
  • Упаковка
    Tube
Полная характеристикаСкрыть

Новости электроники

Еще новости



Электрофорум - Темы электроснабжение, защита, заземление, автоматика, электроника и другое.
Темы электроснабжение, защита, заземление, автоматика, электроника и другое.
Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.